根據外媒報導，日前在日本東京舉行的ITF（IMEC Technology Forum,.ITF）論壇上，與荷蘭半導體大廠ASML合作研發半導體光刻機的比利時半導體研究機構IMEC正式公布了3納米及以下制程在微縮層面的相關技術細節。
根據IMEC所公布的內容來分析，ASML對于3納米、2納米、1.5納米、1納米，甚至是小于1納米的制程都做了清楚的發展規劃，意味著ASML基本上已經能開發1納米制程的光刻設備了。
報導指出，在論壇上，IMEC公司總裁兼執行長Luc Van den hove強調，將繼續把制程技術微縮到1納米及以下。對此，IMEC也提出了從3納米、2納米、1.5納米、1納米，甚至是小于1納米以下的邏輯元件制程微縮路線圖。
根據先前晶圓大工大廠臺積電和三星電子介紹，從7納米制程技術開始，部分制程技術已經推出了NA=0.33的EUV光刻設備，5納米制程技術也達成了頻率的提升，但對于2納米以后的超精細制程技術，則依然需要能夠達成更高的識別率和更高NA（NA=0.55）的光刻設備。
對此，目前ASML也已經完成了作為NXE:5000系列的高NA EUV光刻設備的基本設計，但商業化的時間則是預計最快在2022年左右。不過，這套下一世代的光刻設備將因其龐大的光學系統，使得整套設備將變得非常巨大。
事實上，過去一直與IMEC緊密合作開發半導體光刻技術，但為了開發使用高NA EUV光刻設備，ASML在IMEC的園區內成立了新的“IMEC-ASML高NA EUV”實驗室，以達成共同開發和開發使用高NA EUV光刻設備的相關技術。此外，該公司還計劃與材料供應商合作，進一步進行光罩和光阻劑。
Van den hove還指出，邏輯元件制程技術微縮的目的是為了降低功耗、提高性能、減少面積、以及降低成本，也就是通常所說的PPAC。除了這4個目標外，隨著制程向3納米、2納米、1.5納米，甚至超越1納米而達到小于1納米以下的制程之際，將努力實現可持續發展微處理器制程技術，以滿足對未來先進科技應用的需求。
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